Нанотехнологии

Список экспериментов:

<Р> 1. Исследовать оптические свойства некоторых наноразмерных полупроводниковых оксидов.

<Р> 2. Синтезировать наноструктуры металлов и исследовать их оптическое поведение.

<Р> 3. Проанализировать толщину, оптическое пропускание и отражательную способность тонкой пленки Al.

<Р> 4. Синтез и характеристика углеродных нанотрубок путем крекинга газовой смеси с использованием трубчатой ​​печи.

<Р> 5. Для отработки заряда, дзета-потенциала и распределения по размерам коллоидного раствора наночастиц используется метод динамического рассеяния света.

<Р> 6. Для определения содержания элементов в наносплавах используются различные аналитические методики.

<Р> Содержание:

<Р> 1. Классификация и номенклатура наноматериалов: наноразмерные металлы и сплавы, полупроводники, керамика - сравнение с соответствующими объемными материалами; Органические полупроводники, углеродные нанотрубки; Нулевые, одно-, двух- и трехмерные наноструктуры - квантовые точки, квантовые ямы, квантовые стержни, квантовые провода, квантовые кольца; объемные наноструктурные материалы, наномашины и устройства.

<Р> 2. Синтез физическими методами: нуклеация и рост наносистем; самосборка; Физические методы - механическое измельчение, лазерная абляция, распыление и микроволновая плазма.

<Р> 3. Синтез химическими методами: химическое восстановление и окисление, гидротермальные, мицеллы, золь-гель процессы, фотолиз, радиолиз и металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы; Разработка современных комплексных нанокомпозитов, функциональных наноматериалов и наноструктурированных тонких пленок.

<Р> 4. Новые свойства наноматериалов и связанные с ними теоретические основы: зависящие от размера и формы оптические, эмиссионные, электронные, транспортные, фотонные, показатели преломления, диэлектрические, механические, магнитные, нелинейные оптические свойства; Золи переходных металлов, происхождение плазмонной полосы, теория Ми, влияние различных факторов на поглощение плазмона.

<Р> 5. Размерный эффект в наноматериалах: Квантовое ограничение в полупроводниках - частица в коробчатой ​​модели для квантовых точек; Происхождение заряда на коллоидных золях, дзета-потенциал - теория DLVO; Последствия коллоидов в создании строительных блоков; Каталитические и фотокаталитические свойства. Механические свойства.

<Р> 6. Характеристика наноматериалов: структурная характеристика - XRD, SAXS, SEM, TEM, SPM / AFM; Химическая характеристика - оптическая спектроскопия, электронная спектроскопия, ионная спектрометрия; Физические свойства - температура плавления, постоянная решетки, электрические и магнитные характеристики; Механические свойства - наноиндентирование, нанотрибология.

<Р>

Студенты, допущенные к обучению в аспирантуре в IIT Roorkee, проходят отбор до поступления. Процесс отбора осуществляется на национальном уровне (вся Индия) или в институте в зависимости от программы обучения. Для получения подробной информации об институте и различных программах загрузите информационную брошюру, приведенную ниже.

GATE (Выпускной тест на способности в инженерном деле), Выпускной тест на способности в инженерном деле - это общеиндийский экзамен, проводимый семью ИИТ и IISc Bangalore от имени Национального координационного совета - GATE, Департамент образования, Министерство развития людских ресурсов (MHRD), Правительство Индии.

JAM (совместный тест для поступления в магистратуру) для поступления в программы магистратуры в ИИТ. С 2005 года поступление в программу MCA в IIT Roorkee также осуществляется через JAM, ранее - через AIMCET.

Этот институт предлагает курсы, ведущие к двухлетним степеням магистра наук по ряду дисциплин. Кроме того, аспирантуру программ, ведущих к M.Tech., M.Sc. и доктор философии степени также предлагаются.

Институт предлагает стипендии по принципу «заслуга-плюс-средний» 25% студентов бакалавриата. Время от времени объявляется несколько других стипендий. Банковские кредиты также легко доступны при необходимости. Финансовая помощь предоставляется в форме бесплатного обучения в Институте и получения стипендий для студентов, принадлежащих к запланированным кастам и запланированным племенам.

Студенты поступили на 2-й курс магистратуры Степень в области наук также присуждается стипендии за заслуги. Ряд стипендий, схем обучения / ассистента исследователей предоставляют финансовую поддержку студентам M.Tech. и доктор философии программы. Спонсируемые (как на полный, так и на неполный рабочий день), самофинансируемые иностранные студенты и студенты бакалавриата, однако, не имеют права на льготы по этой схеме. Студентам рекомендуется зарабатывать, пока они учатся.

Призы и сертификаты присуждаются студентам на основании их успеваемости в учебных, совместных и внеклассных мероприятиях.

<Р>